TSMC: annunciato il processo produttivo a 1,6 nanometri, disponibile dal 2026

TSMC: annunciato il processo produttivo a 1,6 nanometri, disponibile dal 2026

In occasione della trentesima edizione del

North America Technology Symposium, TSMC ha aggiornato la roadmap dei processi produttivi in sviluppo e ha annunciato di essere al lavoro su transistor realizzati con nodo a 1,6 nanometri.

Come i transistor a 2 nanometri della compagnia, in arrivo nel tardo 2025 in versione base N2 e nel 2026 nella versione ottimizzata N2P, anche quelli a 1,6 nanometri sono basati sulla nuova architettura

Gate-All-Around (GAA), ma sono ancora più evoluti dal punto di vista dell’alimentazione grazie all’utilizzo della tecnologia Super Power Rail (SPR). La disponibilità del nuovo nodo TSMC, chiamato A16, è prevista per il 2026.

Confrontati da TSMC con i transistor N2P, come abbiamo detto poc’anzi a 2 nanometri, i più evoluti transistor A16 mettono in campo un incremento delle prestazioni dell’8-10% a parità di voltaggio, una diminuzione dei consumi del 15-20% a parità di velocità e un aumento del 7-10% del numero di transistor a parità di dimensioni.

Da notare però come i valori massimi indicati da TSMC si riferiscano a di chip per l’intelligenza artificiale e per il calcolo ad alte prestazioni, particolarmente complessi e per questo in grado di beneficiare in pieno dei vantaggi della tecnologia SPR in termini di aumento dell’efficienza e densità dei transistor.

Nel frattempo TSMC ha già iniziato i lavori sul processo produttivo A14, ovviamente a 1,4 nanometri. Per il momento la compagnia si è limitata a menzionarlo durante il panel The Future of Logic, senza fornire dettagli su tecnologie impiegate e date di lancio previste, ma possiamo presumere che si parli del 2027 come nel caso del nodo da 1,4 nanometri di Samsung. Intel punta invece a tagliare questo traguardo entro fine 2026.

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