인텔 “3나노급 ‘인텔3′ 공정 대량양산 본격화…제조 리더십 회복”

팻 겔싱어 인텔 CEO. /인텔 제공

인텔은 3나노급 미세공정인 ‘인텔3′가 최근 대량 양산에 돌입했다고 밝혔다. 인텔은 “인텔의 반도체 제조 기술력이 정상궤도로 돌아왔다”며 인텔 제품뿐만 아니라 파운드리(위탁생산) 사업에서의 입지가 과거의 입지를 되찾을 것이라는 자신감을 드러냈다.

인텔은 21일 연례 VLSI 심포지엄에서 인텔3 노드가 지난해 말 제조 준비(manufacturing readiness) 단계에 도달한 데 이어 최근 미국 오레곤(Oregon)의 연구개발(R&D) 사이트에서 대량 생산에 도달했다고 밝혔다. 아일랜드 레익슬립(Leixlip) 팹에서도 인텔 제품인 인텔 제온 6(Intel Xeon 6) 서버 프로세서를 포함한 파운드리 고객용 칩을 대량 생산하고 있다.

인텔3 공정은 전체 프로세서 코어에서 동일한 전력으로 최대 18% 더 높은 성능을 제공하며, 유연한 메탈 인터커넥트 옵션 세트와 이전 세대인 인텔4 노드에 비해 최대 10% 더 높은 집적도를 제공한다. 인텔4를 내놓은 지 불과 1년 만에 20%에 가까운 성능 개선에 성공한 것이다.

앞서 인텔은 팻 겔싱어 CEO의 주도로 반도체 업계 공정 기술 리더십을 되찾겠다고 외치며 지난 2021년 4년간 5개 노드(5N4Y)를 완성한다는 대담한 포부를 밝혔다. 또 파운드리 고객에게 폭넓은 설계, 패키징 및 제조 역량을 제공하도록 회사를 혁신해 업계 전반을 발전시키는 것을 목표로 하고 있다.

인텔 관계자는 “인텔은 지난 2005년 스트레인드 실리콘, 2009년 하이케이(Hi-K) 메탈 게이트, 2011년 핀펫(FinFET) 아키텍처로 트랜지스터를 3차원으로 구현하는 등 수십 년 동안 주요 전환점에서 트랜지스터 기술을 통해 업계를 선도해 왔다”며 “현재 AI 및 슈퍼컴퓨터와 같은 미래를 뒷받침할 새로운 트랜지스터 혁신을 지속적으로 이끌고 있다”고 말했다.