박명재 SK하이닉스 부사장 ”HBM은 자체 개발 기술…커스텀 반도체 시장 선도할 것“

박명재 SK하이닉스 HBM설계 담당 부사장 (사진=SK하이닉스)

박명재 SK하이닉스 HBM설계 담당 부사장이 최근 반도체 업계에서 돌았던 경쟁사 인력 영입 루머가 거짓이라고 밝혔다.

그는 27일 SK하이닉스 뉴스룸을 통해 공개된 인터뷰에서 "SK하이닉스 HBM은 명확하게 당사 자체 기술이며, 당시 경쟁사에서 우리 HBM 설계 조직에 들어온 인력은 1명도 없다"라고 강조했다.

SK하이닉스는 생성 AI가 트렌드가 되기 전인 2009년부터 고성능 메모리 반도체 수요를 예측하고 기술 개발을 해왔다고 전했다. 4년여 개발 끝에 2013년 세계 최초로 1세대 고대역폭메모리(HBM)를 내놓았다.

그러나 2010년 당시에는 컴퓨팅 시장이 충분히 성숙하지 못해 2세대 제품인 HBM2를 개발하는 데 난항을 겪었다. 이 때를 회상하며 박명재 부사장은 "HBM이 SK하이닉스 고유의 기술력을 보여줄 기회이며, 최고의 제품만 개발하면 이를 활용할 서비스는 자연스레 생길 것이라고 확신"하고 기술 개발에 집중했다고 밝혔다.

그 결과 2020년대 초반, HBM3시장에서 SK하이닉스가 "압도적인 성능과 특성을 앞세운 HBM3로 높은 시장 점유율을 확보했다"라고 설명했다.

이에 탄력을 받아 SK하이닉스는 올 3월 HBM3E를 양산하고, 다음 세대 제품인 HBM4의 양산 시점을 내년으로 앞당기기도 했다.

SK하이닉스의 HBM 개발 연혁(사진=SK하이닉스)

특히 HBM3를 개발한 후 HBM3E 제품이 시장에 나오기까지 걸리는 시간을 불과 4개월로 획기적으로 단축했다.

박 부사장은 '성능, 품질, 시장 대응력'을 성공 비결로 꼽으며 발열을 줄일 수 있는 고유의 MR-MUF 기술이 성능 향상에 주요한 요인이라고 설명했다. MR-MUF는 반도체 여러장을 적층해 한번에 포장하는 기술을 말한다.

그는 다음 반도체 트렌드를 커스텀(Custom) 제품이라고 말했다.

"HBM이 커스텀(Custom) 제품으로 다양해짐에 따라 앞으로 고객 및 파운드리 업계와의 협업이 더욱 중요해질 것"이라며, 4월 발표한 TSMC와의 기술 협력을 염두에 둔 발언을 했다. 차세대 HBM 생산과 어드밴스드 패키징 기술 역량을 강화하기 위해 TSMC와 협력하며 엔비디아 제품에 최적화된 HBM4를 개발한다는 계획이다.

박명재 부사장은 “HBM뿐 아니라 CXL, PIM, 3D D램 등 다양한 AI 메모리 기술이 앞으로 새로운 기회를 창출할 것이며, SK하이닉스가 이러한 차세대 AI 메모리 분야에서도 선도 지위를 지킬 것"이라고 자신했다.

박수빈 기자 [email protected]