삼성전자, 3나노 첫 적용 '엑시노스' 양산 눈앞…TSMC 추격 가속
업계 최초 GAA 기반 AP ‘테이프아웃’…TSMC는 내년 예정 ‘엑시노스 2500’ 올 하반기 양산해 내년 초 갤럭시S25 탑재 전망
삼성전자 평택캠퍼스 전경. (삼성전자 제공) ⓒ News1 강태우 기자
(서울=뉴스1) 강태우 기자 = 삼성전자(005930)가 3나노(㎚·10억분의 1m)를 처음 적용한 모바일 AP(애플리케이션프로세서) ‘엑시노스’의 대량 양산 초읽기에 들어가면서 세계 최대 파운드리(반도체 위탁생산) 업체 대만 TSMC의 공정전환 속도를 빠르게 추격하고 있다.
8일 업계에 따르면 삼성전자는 글로벌 설계자동화(EDA) 업체 시놉시스와 협업을 통해 3나노 GAA(게이트올어라운드) 공정 기반의 모바일 AP 등 SoC(시스템온칩) 설계와 테이프아웃(Tape-Out·시제품 양산)에 성공했다.
테이프아웃은 팹리스(반도체 설계)의 최종 칩 설계도와 시제품이 파운드리에 넘어가는 것을 뜻한다. 대량 양산 준비를 위한 마지막 단계다.
이번에 삼성 파운드리가 시제품을 양산한 AP는 ‘엑시노스 2500’으로 늦어도 올해 하반기 양산에 들어간 뒤 내년 초 출시하는 갤럭시S25 스마트폰에 적용될 것으로 예상된다.
다만 퀄컴의 3나노 공정 기반 차세대 칩 ‘스냅드래곤 8 4세대(가칭)’도 삼성 파운드리에서 만들 가능성이 있어 구체적인 공급 비중은 밝혀지지 않았다.
업계에선 TSMC가 지난해 3나노 기반의 A17 칩셋을 아이폰15 프로 모델에 공급하면서 공정 전환에선 빨랐으나 GAA 기술 적용에서는 삼성전자가 한발 앞섰다는 평가다.
GAA는 삼성전자가 최초 개발한 기술로 기존 핀펫(FinFET) 기술보다 반도체 전력 소모와 성능을 개선했다. 현재 3나노에 기존 핀펫 방식을 적용 중인 TSMC는 오는 2025년 2나노부터 GAA를 도입할 예정이다.
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